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簡要描述:供光電倍增管用的高壓電源,一般要求電壓在500—1500V之間,電流在1mA以上。公寓人防生物戰(zhàn)劑報警器G-N32E天道
詳細介紹
高壓電源
由于高壓的波動會引起放大倍數(shù)波動高一個數(shù)量級,因此對電壓穩(wěn)定性的要求比放大倍數(shù)穩(wěn)定性要求高一個數(shù)量級。特別作能譜測量,譜峰位置的穩(wěn)定性十分重要(一個高壓穩(wěn)定性為0.2‰的高壓電源,取道址為256道時,峰飄小于半道)。
NaI單晶譜儀γ譜的生成公寓人防生物戰(zhàn)劑報警器G-N32E天道
當γ射線的能量全部耗盡在NaI閃爍體內(nèi)時,探測器輸出的脈沖幅度與入射的γ光子能量成正比,由此可根據(jù)脈沖幅度譜來測定γ光子的能譜。
1、一個單核素公寓人防生物戰(zhàn)劑報警器G-N32E天道
Cs的譜的生成137Cs的662kev能譜包括三個峰和一個平臺(典型)137
A—全能峰,662kev直接反映γ射線能量,由光電效應及多次效應的貢獻;
B—康普頓坪,為散射光子逃出NaI后留下的一個能量連續(xù)的電子譜,該坪有
個邊界,應在470kev左右;
C—反散射峰,它是由于在NaI中未經(jīng)吸收穿出的γ光子,在閃爍體后面物質(zhì)上
發(fā)生康普頓效應,反散射光子回NaI中,通過光電效應被記錄,由前述,它的能量總在
200kev左右。
D—Ba的χ射線峰,由于Cs發(fā)生β衰變后,Ba的激發(fā)態(tài)放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子,在137137137K層造成空位,外層電子躍遷而成。實際譜圖中,C峰和D峰可能較弱而并不明顯。
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